La Chine n’a pas l’EUV, mais elle a la patience et beaucoup de wafers. Le fondeur de mémoires CXMT se rapproche du niveau de capacité de Micron, d’après une note de recherche publiée fin juin. Le pari repose sur un carburant très terre à terre : assez de lithographie DUV à immersion pour faire tourner ses lignes DRAM.
Si le scénario tient, CXMT pourrait finir 2026 à un niveau de production qui placerait la Chine sur la trajectoire du deuxième rang mondial de la DRAM, derrière Samsung et SK hynix. On parle de projections, pas d’un communiqué industriel. Mais elles s’appuient sur des données de capacité et sur des dossiers boursiers déposés en Chine.
Points clés
- CXMT viserait 350 000 wafer starts/mois fin 2026, contre 385 000 pour Micron
- La Chine pourrait grimper à la 2e place mondiale de la DRAM, derrière Samsung et SK hynix
- Stratégie fondée sur la lithographie DUV à immersion, sans passage immédiat à l’EUV
- Clients locaux majeurs : Alibaba Cloud, Tencent, ByteDance, Lenovo et Xiaomi
Une capacité 2026 qui vient chatouiller Micron
Selon l’analyse relayée par Tom’s Hardware, CXMT viserait environ 350 000 wafer starts par mois fin 2026. En face, Micron tournerait autour de 385 000. Une trentaine de milliers de wafers d’écart : du jamais-vu entre les deux groupes sur la seule capacité brute.
SemiAnalysis, à l’origine des estimations, décrit une progression continue ensuite : environ 420 000 wafer starts par mois en 2027, puis 500 000 en 2028. CXMT passerait ainsi d’environ 13 % de la capacité DRAM mondiale en 2025 à environ 17 % en 2027 et 2028.
Ces chiffres restent des projections. Ils dépendent du ramp-up des sites de Hefei, Beijing et Shanghai, ainsi que du rythme d’équipement des usines. Un dépôt de cotation place déjà la capacité totale de CXMT autour de 300 000 wafers par mois, avec des ambitions de hausse supplémentaire portées par de nouveaux investissements à Shanghai.
Le DUV à immersion, l’arme discrète
Le point technique tient en une phrase : « All they need is enough immersion DUV lithography ». Pour ce palier de capacité, CXMT n’a pas besoin de passer immédiatement à l’EUV. Il lui faut surtout assez d’équipements DUV à immersion pour produire et étendre ses lignes DRAM.
Ce choix découle aussi des contraintes locales. Les restrictions à l’export sur les outils de pointe verrouillent l’accès à certains équipements, mais les fabricants chinois avancent sur des nœuds plus matures, avec une cible commerciale limpide : la DRAM de commodité d’abord, les produits à forte valeur ajoutée ensuite.
SemiAnalysis, note de recherche : « By the end of 2026, we expect CXMT to reach roughly 350 kwspm, which is only modestly below Micron’s estimated ~385 kwspm. »
Un marché chinois de la mémoire qui se structure
La progression de CXMT ne se résume pas à la capacité brute. D’après des documents de cotation et des informations de marché de l’été 2026, le groupe a élargi sa base industrielle avec des projets à Shanghai. Plusieurs sources citent des clients locaux de premier plan (Alibaba Cloud, Tencent, ByteDance, Lenovo et Xiaomi) pour des achats de DRAM et de DDR5. Tencent aurait signé un contrat d’approvisionnement de 3 milliards de dollars.
CXMT reste derrière les trois grands historiques du secteur. Mais si les estimations 2026 se vérifient, le chinois deviendra un concurrent de premier plan sur le volume, tout en gardant un retard sur les nœuds les plus avancés et sur la mémoire à large bande passante, quasi absente de ses dossiers de financement. La vraie question n’est plus les parts de marché : c’est de savoir à quelle vitesse ces lignes en construction transformeront des wafers en présence mondiale durable.
